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红外光电器件相关专利

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兹公示中国科学院上海微系统与信息技术研究所与某公司于2017年11月07日对协议定价的“红外光电器件相关专利”的专利权转让拟签订相关转让合同,拟交易金额人民币捌拾万元整。所含知识产权如下:

 
一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构(ZL 201410729324.9)

一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器(ZL 201610847176.X)

一种用于高In组分InGaAs探测器的突变弛豫缓冲层(ZL 201410728282.7)

一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法(ZL 201010290432.2)

基于数字合金的非矩形量子结构及其实现方法(ZL 201010128365.4)

  

公示日期:2017年11月07日至11月22日。若任何单位或个人对以上公示内容有异议,请在公示期内与中国技术交易所联系,提交异议函。
联系人:王硕
联系电话:01062679531
邮箱:swang@ctex.cn

 

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