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硅异质结(SHJ)高效率太阳电池

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兹公示中国科学院上海微系统与信息技术研究所与某公司于2018年11月28日对协议定价的“硅异质结(SHJ)高效率太阳电池”拟签订相关转让合同,拟交易金额人民币2000万。所含知识产权如下:

      1   湿法沉积和低温热处理相结合制备异质结太阳电池方法,专利号:ZL201310080782.X   

      2   一种引入驻极体结构的高效太阳能电池及制备方法,专利号:ZL201310732585.1   

      3   一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺,专利号:ZL201310736927.7   

      4   掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法,专利号:ZL201410581435.X   

      5   高效薄膜晶硅太阳电池及其自主能源芯片集成技术,专利号:ZL201410608127.1   

      6   晶体硅太阳电池及其制备方法,专利号:ZL201510394993.X   

      7   具有叠层减反特性的晶体硅异质太阳电池及其制备方法,专利号:ZL201610494414.3   

      8   一种n型硅片热处理方法,专利号:ZL201610133650.2   

      9   基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置,申请号:201610840597.X   

      10   一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备及镀膜方法,申请号:201610975301.5   

      11   双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池及制作方法,申请号:ZL201710416600.X   

 

公示日期:2018年11月28日至12月13日。若任何单位或个人对以上公示内容有异议,请在公示期内与中国技术交易所联系,提交异议函。

联系人:王硕

联系电话:010-62679531

邮箱:swang@ctex.cn

 

 


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